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SI5418DU-T1-GE3 |
PowerPAK? CHIPFET? 单 | Vishay Siliconix | 12168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI5418DU-T1-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：14.5 毫欧 @ 7.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1350pF @ 15V 功率 - 最大值：31W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： FFC锛孎PC锛堟A9CAA-0805F FFC锛孎PC锛堟A9CAA-0806F D-Sub，D 形09691825423 高负载 - 配件19400249903 时钟/计时 - 时SY89832UMGTR FET - 单IPP230N06L3G 电阻器网络，阵列EXB-38V271JV FET - 单ZVN3310ASTOA 逻辑 - 缓冲器，74HCT125D,652 功率，高于 2 安FCA-125-CW3 |
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